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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种堆叠膜结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。所述堆叠膜结构包括：第一膜层，所述第一膜层包括第一表面，所述第一膜层中包括掺杂元素；第二膜层，位于所述第一膜层的所述第一表面，所述掺杂元素用于调整所述第一表面的电子密度，以降低所述第一膜层与所述第二膜层之间的应力。本发明减小了包括第一膜层和第二膜层的堆叠结构内部的应力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300462 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111643142.6
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 长江
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