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一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法.pdf

    本发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法，其包括n‑‑GaN层(1)，n‑‑GaN层(1)上表面设置有绝缘保护层(3)和肖特基势垒电极(5)，n‑‑GaN层(1)下表面由上至下依次设置有n+‑GaN层(2)、欧姆电极(4)；绝缘保护层(3)设置在n‑‑GaN层(1)上表面局部，肖特基势垒电极(5)设置在n‑‑GaN层(1)上表面未设有绝缘保护层(3)的区域，肖特基势垒电极(5)边缘覆盖在绝缘保护层(3)上构成场板结构。本发明使用GaN材料制成垂直结构的肖特基势垒二极管，GaN材料

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300545 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111493320.1 H01L 21/329 (2006.01) (22

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