1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

栅极结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.11万字
  • 约 13页
  • 2023-05-05 发布于四川
  • 举报

栅极结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法.pdf

    本发明提供了一种栅极结构间空气间隙的形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有NAND器件的多个栅极结构，相邻两个栅极结构之间填充有氮化硅层，栅极结构部分凸出于氮化硅层；至少执行两次去除工艺，以去除氮化硅层，其中，每次去除工艺包括，形成保护介质层覆盖栅极结构的外壁，湿法蚀刻部分氮化硅层；于相邻两个栅极结构之间形成空气间隙。本发明中，通过每次去除工艺中先形成保护介质层覆盖栅极结构以及再湿法蚀刻去除部分氮化硅层，利用保护介质层保护栅极结构在湿法蚀刻中不被腐蚀且采用至少两次去除氮化硅层，从而使得栅极结

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300459 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111626366.6 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >