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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法及使用其复合材料制备气敏元件的方法，In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法包括1：制备In(OH)3粉末；2:基于粉末制备In2O3纳米立方体；3:收集带正电荷的In2O3；4:获得In2O3‑CNH纳米复合材料，气敏元件的制备方法为基于复合材料与乙醇混合后，涂抹在电极上，红外干燥两小时，冷却后焊接到电路板底座上，并老化5天，本发明构建的In2O3‑CNH气体传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、选择性好、检测限低的特性，能对H2S进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114291838 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111636104.8 B82Y 40/00 (201
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