用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于北京
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本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法,和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中,一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层,氧化硅层设置于工件上;和富氮氮化硅层,富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at%)至约35at%的硅浓度、约40at%至约75at%的氮浓度和约10at%至约35at%的氢浓度。在一个或多个例子中,钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层,第三层包含任何类型的氮化硅,例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114303239 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202080061205.4 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理

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