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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺，具体包括以下步骤：S1、将完成前段正面制程，正面键合在玻璃载板，背面减薄后完成SiC基板背面离子植入及金属制程；S2、在基板背面上方倒扣载盘，整体翻转后旋转涂布SOG形成封堵层，解键合移除玻璃载板；S3、完成高温回火，取出后正面进行LID开窗及接触孔的填充；S4、涂布聚酰亚胺，通过曝光、显影、蚀刻聚酰亚胺后镀膜金属PAD；S5、完成晶圆切割后除去晶圆外圈的聚酰亚胺；S6、将晶圆贴附在切割模框，翻转后移除载盘，完成晶圆切割。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300344 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111640258.4
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 绍兴同芯成集成电路有限公司
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