霍尔效应测磁场实验报告.docxVIP

【最新整理，下载后即可编辑】 【最新整理，下载后即可编辑】 【最新整理，下载后即可编辑】 实 验 报 告 学生姓名： 学 号： 指导教师： 实验地点： 实验时间： 一、实验室名称：霍尔效应实验室 二、 实验项目名称：霍尔效应法测磁场三、实验学时： 四、实验原理： （一）霍耳效应现象 将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为 B 的磁场中，并让薄片平面与磁场方向（如 Y 方向）垂直。如在薄片的 横向（X 方向）加一电流强度为I H 的电流，那么在与磁场方向和 电流方向垂直的 Z 方向将产生一电动势U 。 H 如图 1 所示，这种现象称为霍耳效应，U H 称为霍耳电压。 霍耳发现，霍耳电压U H 与电流强度I H 和磁感应强度 B 成正比， 与磁场方向薄片的厚度 d 反比，即 HU ? R I B H （1） H d 式中，比例系数 R 称为霍耳系数，对同一材料 R 为一常数。因成品霍耳元件（根据霍耳效应制成的器件）的d 也是一常数，故R/ d 常用另一常数 K 来表示，有 U ? KI H H B （2） 式中，K 称为霍耳元件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该元 件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍 【最新整理，下载后即可编辑】 【最新整理，下载后即可编辑】 耳元件的灵敏度 K 知道（一般由实验室给出），再测出电流I 和 H 霍耳电压U H ，就可根据式 B ? UH  （3） KI 算出磁感应强度 B。 H 图 1 图 2 霍耳效应解释 霍 耳 效 应 示 意 图 （二）霍耳效应的解释 现研究一个长度为 l、宽度为 b、厚度为 d 的 N 型半导体制 成的霍耳元件。当沿 X 方向通以电流I H 后，载流子（对 N 型半 导体是电子）e 将以平均速度 v 沿与电流方向相反的方向运动， 在磁感应强度为 B 的磁场中，电子将受到洛仑兹力的作用，其大小为 方向沿 Z 方向。在 f f 的作用下 B ? evB B，电荷将在元件沿 Z 方向的两端 B H面堆积形成电场E H 其大小为 （见图 2），它会对载流子产生一静电力 f ， E f ? eE E H E H f 相反，即它是阻止 B 电荷继续堆积的。当 f 和 f B E 达到静态平衡后，有 f B ? f ，即evB ? eE E H ? eU H / b ，于是电荷堆积 的两端面（Z 方向）的电势差为 U ? vbB （4） H 【最新整理，下载后即可编辑】 【最新整理，下载后即可编辑】 通过的电流I 可表示为 H 式中n 是电子浓度，得  v ? ?  I ? ?nevbd H I H nebd  （5） 将式（5）代人式（4）可得 U  ? ? I B H可改写为 H H ned H? R I B ? KI B H H d H 该式与式（1）和式（2）一致， R ? ? 1 就是霍耳系数。 ne 五、实验目的： 研究通电螺线管内部磁场强度 六、实验内容： （一）测量通电螺线管轴线上的磁场强度的分布情况，并与理论值相比较； （二）研究通电螺线管内部磁场强度与励磁电流的关系。 七、实验器材： 霍耳效应测磁场装置，含集成霍耳器件、螺线管、稳压电源、数字毫伏表、直流毫安表等。 八、实验步骤及操作： （一）研究通电螺线管轴线上的磁场分布。要求工作电流I 和励 H 磁电流I 都固定，并让I N M ? 500 mA，逐点（约 12-15 个点）测试 霍耳电压U H ，记下I H 和 K 的值，同时记录长直螺线管的长度和 匝数等参数。 接线：霍尔传感器的1、3 脚为工作电流输入，分别接“I H 输出”的正、负端； 2、4 脚为霍尔电压输出，分别接“V H 输入” 的正、负端。螺线管左右接线柱（即“红”、“黑”）分别接励磁 电流I M 的“正”、“负”，这时磁场方向为左边 N 右边 S。 2、测量时应将“输入选择”开关置于“V ”挡，将“电压 表量程”选择按键开关置于“200” mV 挡，霍H尔工作电流 I 调 H 到 5.00mA，霍尔传感器的灵敏度为：245mV/mA/T。 3、螺线管励磁电流 I 调到“0A”，记下毫伏表的读数V （此 0时励磁电流为 0，霍尔工作M 0 电流I H 仍保持不变）。 4、再调输出电压调节钮使励磁电流为I ? 500mA 。 5、将霍耳元件在螺管线轴线方向左右调M 节，读出霍耳元件 在不同的位置时对应的毫伏表读数 V 。霍尔传感器标尺杆坐标 x=0.0mi ， 对应的霍耳电压m 对准读数环时，表 ? V ? V 示Hi霍尔i 传0 感器正好位于螺线管最左端，测量时在 0.0mm 左右应 对称地多测几个数据，推荐的测量点为 x=-30.0、-20.0、-1