一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法.pdf

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本发明公开了一种SiCMOSFET功率循环测试电路及其控制方法，所提测试电路包括旁路开关AS，负载电流源Iload，被测器件Q1_1～Qm_n，支路二极管D1～Dm，驱动电阻R1_1～Rm_n，开关S1_1～Sm_n和IS1_1～ISm_n，小电流源I1_1～Im_n。所提控制方法采用轮巡结温测量方法，每个功率循环测试周期对支路上一个器件的结温和阈值电压进行监测，解决了串联支路上各个器件由于测量结温顺序的差异导致测量结果误差的问题。本发明所提电路结构可以实现在SiCMOSFET功率循环测试中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114325286 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111683278.X (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心