江苏理工学院电力电子期末试题之分析.docxVIP

电力电子技术问答分析题 0100003、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？ ①触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通②触发脉冲应有足够的幅度、③触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 ④ 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。 0100004、试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。（12 分） 解：对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器 件 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小， 具有耐脉冲电流冲击的能 开 关 速 度 低 于 电 力 IGBT 力，通态压降较低，输入阻 MOSFET,电压，电流容量抗高，为电压驱动，驱动功 不及 GTO 率小 耐压高，电流大，开关特性 GTR 好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大， 驱动电路复杂，存在二次击穿问题 电流关断增益很小，关电压、电流容量大，适用于 断时门极负脉冲电流 GTO 大功率场合，具有电导调制 大，开关速度低，驱动 效应，其通流能力很强 功率大，驱动电路复杂， 开关频率低 电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题  电流容量小，耐压低， 一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置 （3A）（4B）0100004、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？ 答：1）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 2）触发脉冲应有足够的幅度 3） 触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额 4）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 （4B）0100003、过电压与过电流产生的原因是什么？简述他们的保护措施（各举两种即可）。 答：过电压产生的原因有外因过电压和内因过电压两种，其中外因过电压主要有：操作过电压和雷击过电压，内因过电压主要有：换相过电压和关断过电压。 保护措施有：RC 过电压抑制电路，反向阻断式 RC 电路，雪崩二极管， 金属氧化物压敏电阻，硒堆和转折二极管等 过电流产生的原因主要是过载和短路。 保护措施有：快速熔断器，直流快速熔断器，过电流继电器，电子电路等。 （1A、）0100002、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。 G K K 答：A A P1 J K N 1 K 二极管1 J  G K G K G A G N N2 晶P闸管 N N  GTO G P 2 2 2 J G A N 3 N A 2 A 1 K G K P1 A b) c) b) ) 图1-13 i =?i 基极b 发射极c 基极b c b c P+ N+ P+ P基区 b N漂移区 e N+衬底 集电极c  空穴流 GTR i b E b  MOSFET 电 E 子 c 流  IGBT e b（5A）0100002、画出下列半导体器件i =的(1+图??i e b ①普通二极b管) ；②普通晶闸管c) ；③可关断晶闸管；④功率晶体管；⑤功 率场效应晶体管；⑥绝缘栅双极晶体管。 G K K  A G K G K G A P1 K 1N J G 1 答：A K 二极1管J N 2 N 2 晶闸管 GTO PG P 2 2 P 2 J G A N 3 N A 2 A 1 K G P K 1 A b) i =?ic) 基极b 发射极c 基极b a) c bb) ) P+ N+ P+ P基区 b N漂移区N+衬底 集电极c c 空穴流 GTR i b e E b  图1-13 电子流  MOSFET E c  IGBT i =(1+??i e b b) c) （1A）（4B）0100003、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7 分） 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流 （脉冲）。或：u 0 且 u 0。 AK GK 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 （3B）0100003、 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流 （脉冲）。或：u 0 且 u 0。 AK GK （2B）0100003、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 （1B）（5B）0100003、将控制电