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本发明公开了一种具有渐变掺杂沟道的SiCMOSFET器件及其制备工艺,所述SiCMOSFET器件包括SiC漂移区、P型体区、源极N型掺杂区、栅极氧化层、源极金属和栅极,P型体区形成于SiC漂移区表面的两侧,源极N型掺杂区形成于P型体区上,且至少部分未覆盖住P型体区,栅极氧化层部分形成于SiC漂移区上,部分形成于P型体区上,且部分形成于源极N型掺杂区上;源极金属形成于源极N型掺杂区上且靠近源极N型掺杂区的外侧边设置,SiC漂移区上被栅极氧化层覆盖住的位置处的掺杂浓度低于源极N型掺杂区被栅极氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114335161 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111642611.2
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 深圳
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