计算机原理第2章.docxVIP

第 2 章 存储系统 ? 2.1 主存储器 ? 2.2 辅助存储器 ? 2.3 存储体系 ? 2.1 主存储器 主存记忆元件 主存储器组成 主存工作模式与内存条 主存储器的主要指标 并行存储器 并行处理机的存储组织 2.1.1 主存记忆元件 RAM 记忆元件 ROM 记忆元件 1. RAM 记忆元件 RAM（redom access memry，随机存取存储器）元件特性： 有两种稳定状态； 在外部信号的激励下，两种稳定状态能进行无限次相互转换； 在外部信号激励下，能读出两种稳定状态； 可靠地存储。 半导体 RAM 元件可以分为两大类： SRAM 是利用开关特性进行记忆，只要电源有电，它总能保持两个稳定的状态中的一个状态。 DRAM 除要电源有电外，还必须动态地每隔一定的时间间隔对它进行一次刷新，否则信息就会丢失。 (1) SRAM 记忆元件 SRAM 记忆元件有双极型和 MOS 开关两种。 (1) SRAM 记忆元件 写过程：字线选中，读写控制门打开。写“1”时，位线 b′上送高电平，使 T2 导通，位线 b 上送低电平，使 T1 截止。这种状态不因写脉冲的撤离而改变，因为 T2， T1 成反向偶合，只要 Vcc 上有 5 V 的电位，就能保持这一状态。写“0”时，位线b′ 上加低电平，位线 b 上送高电平，使 T2 截止、T1 导通。 读过程：字线选中，位线 b′和 b 分别与 A 点和 B 点相通。若记忆单元原存“1”， A 点(即位线 b′)为高电平(读 1)；若原存“0”，B 点(即位线 b)为高电平。 (2) DRAM 记忆元件 DRAM 记忆元件是靠栅极电容上的电荷保存信息，所以也称电荷存储型记忆元件。 （3）MRAM （Magnetic Random Access Memory,磁随机存取存储器）记忆元件 （3）MRAM （Magnetic Random Access Memory,磁随机存取存储器）记忆元件 （3）MRAM （Magnetic Random Access Memory,磁随机存取存储器）记忆元件 2. ROM 记忆元件 ROM（read only memory,只读存储器） 在机器运行过程中只能读出、不能写入信息 无源存储器 非易失性器件 存储的信息是用特殊方式写入的。 2.1.2 主存储器组成 ? 1. 存储体 ? 1. 存储体 ? 1. 存储体 ? 1. 存储体 ? 1. 存储体 ? 2. 地址编码和译码 一个地址码惟一地对应一个地址。将一个地址码变换为驱动字线的电位的逻辑电路， 称为地址译码器。 3. 数据读/写 3. 数据读/写 2.1.3 主存工作模式与内存条 1. 主存工作模式 SDRAM（synchronous DRAM，同步动态随机存储器） DDR SDRAM：速度是普通 SDRAM 的两倍。 RDRAM(rambus DRAM)：美国 Rambus 公司研发的一种 DRAM。 XDR DRAM：在 RDRAM 的基础上进一步创新的内存技术。 2. 内存条 SIMM SIMM（single in-line memory module，单列直插存储模块）内存条有 30 线、72 线和专用内存条三类。 30 线 SIMM：数据线宽度为8，常见容量有256KB、1MB 和 4MB，目前基本淘汰； 72 线 SIMM：数据线宽度为 32，常见容量有 4MB、8MB、16MB、32 MB 、64MB 等。 专用内存条没有统一标准。 DIMM DIMM（dual in-line memory module，双列直插存储模块）与SIMM 相比，最大的特点是两面都有金手指（引脚），并且数据宽度都是 64（无奇偶校验）或 72（奇偶校验）。因此只需一个 DIMM 就可以构成一个有 64 位数据宽度的主存储器。DIMM 又可以分为三种。 标准 DIMM：每面 84 线，双面共 168 线，故常称为 168 线内存条。工作时钟为 60 MHz，67 MHz，75 MHz，83 MHz。常见的容量有 8 MB，16 MB，32 MB 等。主要使用 SDRAM 芯片，也称为 SDRAM 内存条。 DDR-DIMM：每面 92 线，双面共 184 线，故常称为 184 线内存条。目前主要有以下几种速率：PC1600（200MHz），PC2100（266MHz），PC2700（333MHz）， PC3200（400MHz），PC3500（433MHz），PC3700（466MHz），PC400（500MHz）， PC4200（533MHz）和 PC4400（566MHz）。名称中的第一个数字，如“PC2100”意为此内存模块的最大带宽，也就是每秒最大能够提供多少 MB 的数据。后面的 MHz