一种光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明申请公开了一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括设置在衬底上的二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜，所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成异质结，所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜不重叠的两端分别设置金属电极。通过在衬底上制备二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜，并使二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜之间的部分重叠区域形成混合维度的异质结，实现了高响应性、高探测率的光电探测器；同时利用异质结中二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜的电势差形成内建电场，有效

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373812 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202111587575.4 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人中山大学地址 51