垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备.pdf

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一种垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括P型层、介电层、第一N型区、隔离区、第二N型区、P型区和第三N型区、N型半导体柱、P型半导体柱以及金属层；第一N型区、隔离区以及第二N型区位于于P型层的上表面和介电层的下表面之间且在水平面上依次排列；相互连接的P型区和第三N型区设置于介电层的上表面；N型半导体柱设置于介电层中且连接P型区和第一N型区；P型半导体柱设置于介电层中且连接第二N型区和第三N型区；金属层设置于介电层和第二N型区之间以及P型半导体柱的侧表面；故

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114429953 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202111679649.7 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司