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半导体量子阱中激子局域化特性的光学研究 半导体量子阱中激子局域化特性的光学研究摘要：随着半导体器件的快速发展，半导体材料的光物理特性越来越受到人们的关注。半导体量子阱是一种新型半导体结构，具有优异的光学和电学性能。而其中激子局域化是一个重要的量子效应，对半导体器件的工作特性有着重要的影响。本文通过对半导体量子阱中激子局域化的光学研究，探讨了其影响因素和机理，为半导体器件的设计和应用提供了有用的参考。本文选取了GaAs/AlGaAs半导体量子阱为实验样品，通过透射光谱、发光光谱等手段研究其光学特性。结果发现，当激子寿命短于跃迁时间时，激子在空间上会发生局域化现象，形成激子局域态。这一现象