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- 2023-05-10 发布于四川
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一种半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置,其中,所述半导体零部件包括:零部件本体;结合层,位于所述零部件本体的表面;耐腐蚀涂层,位于所述结合层的表面,所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。所述半导体零部件耐等离子体腐蚀的能力较强,不易产生颗粒污染。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520139 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011308450.9 C23C 16/30 (2006.01)
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