原创力文档- 0
- 0
- 约1.43万字
- 约 15页
- 2023-05-10 发布于四川
- 举报
本申请提供一种共源共栅晶体管封装结构，涉及半导体技术领域，包括常断型晶体管、常通型晶体管、封装框架以及并排设置于封装框架内的第一基板和第二基板，常断型晶体管的底面贴装于第一基板，常通型晶体管底面贴装于第二基板，常断型晶体管包括位于顶面的第一源极和第一漏极、以及位于底面的第一栅极，常通型晶体管包括位于顶面的第二源极、第二漏极和第二栅极，第一源极与第二栅极连接，第一漏极和第二源极连接。因此，可以有效缩短第一源极和第二栅极连接时的打线距离，缩短第一漏极和第二源极连接时的打线距离，进而有效降低因级联所产
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520214 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210127908.3
(22)申请日 2022.02.11
(71)申请人 深圳市时代速信科技有限公司
地址
文档评论（0）