一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf

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本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区；在多个有源区的上方形成多个位线接触掩膜结构，且每个位线接触掩膜结构至少覆盖一个有源区端点；沿位线接触掩膜结构向下刻蚀，在有源区端点内形成节点接触孔，并在节点接触孔内填充半导体材料，以形成第一节点接触结构；在多个有源区的上方形成多个位线结构，并在多个位线结构之间的空隙继续填充半导体材料，直至形成有第二节点接触结构，第一节点接触结构和第二节点接触结构共同构成节点接触结构。这样，通过提前形成

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072603 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111301855.4 (22)申请日 2021.11.04 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23