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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层;侧边缘部,分别设置在主体的侧表面上;以及外电极,分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部,电容形成部包括与介电层交替设置的内电极,覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0,并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部,a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部,c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和G
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520115 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202111191491.9
(22)申请日 2021.10.13
(30)优先权数据
10-2020-0154854
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