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表面等离子体光刻图形的修正方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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表面等离子体光刻图形的修正方法.pdf

    本发明公开了一种表面等离子体光刻图形的修正方法，包括：在测试掩模上形成多个测试图形，每个测试图形至少由第一测试参数和与第一测试参数相关的第二测试参数表征；利用含有测试图形的测试掩模对光刻胶层进行曝光，形成多个光刻胶图形，每个光刻胶图形至少由第一曝光参数和与第一曝光参数相关的第二曝光参数表征；基于测试图形的第一测试参数和第二测试参数和光刻胶图形的第一曝光参数和第二曝光参数的对应关系建立第一数据表；根据第一曝光参数对第一数据表进行处理得到第二数据表；基于第二数据表对多个设计图形的第二测试参数进行修正

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116068859 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111288483.6 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 1

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