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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明提供一种图像传感器及深度成像系统，所述图像传感器包括：负电极层，形成于驱动层中；N区层，对应形成于所述负电极层表面，包含由半导体材料形成的若干圆柱状结构；光吸收层，对应形成于所述N区层表面，至少包含由量子点半导体材料形成的P区层；正电极层，对应形成于所述光吸收层表面，接收入射光束。本发明中图像传感器中光吸收层中包含量子点半导体材料，能够明显提升TimeofFlight(TOF)深度成像系统的探测距离与精度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520238 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011302419.4
(22)申请日 2020.11.19
(71)申请人 瑞芯微电子股份有限公司
地址 35
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