- 1
- 0
- 约7.11千字
- 约 8页
- 2023-05-10 发布于四川
- 举报
本发明公开带有直流偏置的高压脉冲源,放电过程为:开关管S1、…、开关管Sn在t1‑t2时刻导通,电容C1、电容C2、…、电容Cn串联向负载电阻RL放电,脉冲的脉宽为t2‑t1;负载RL上的电压VRL=VC1+VC2+VC3+…+VCn;VCn为电容Cn的电压;开关管S1、…、开关管Sn、二极管D1、…、二极管Dn在t2‑t3时刻关断,开关管S0、二极管D0、二极管D1’、…、二极管Dn’在t2‑t3时刻导通,低压电源VL向负载电阻RL放电。本发明可以输出直流偏置型高压脉冲电场,从而为不可逆电穿孔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520604 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210216820.9
(22)申请日 2022.03.07
(71)申请人 重庆大学
地址 400044 重
原创力文档

文档评论(0)