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一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决铜互连线之间产生铜桥的问题。所述半导体器件的制造方法，包括：提供一基底，基底上具有多个第一沟槽。在多个第一沟槽中形成铜互连线。形成覆盖铜互连线以及基底的第一介质层。对第一介质层和部分基底进行图案化处理，得到多个第二沟槽，每个第二沟槽位于相邻两个第一沟槽之间。至少在第二沟槽中形成第二介质层。所述半导体器件采用上述技术方案所提的半导体器件的制造方法制造。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520186 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011300831.2 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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