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一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法.pdf

    本发明涉及一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法，制备方法包括：在衬底表面依次沉积缓冲层、电流扩展层、第一电流阻挡层、牺牲层、第二电流阻挡层和LED目标层，得到外延结构；在所述外延结构上刻蚀阵列图形，得到外延阵列；在所述外延阵列上沉积Pd电极；在包含Pd电极的外延结构的表面沉积SiO2层；在所述外延阵列的SiO2层上开孔，得到开孔的外延阵列；在所述开孔的外延阵列上沉积第一键合金属；将沉积第一键合金属后的外延阵列与沉积第二键合金属的异质衬底进行键合，得到垂直结构的紫外发光二极管。采用本发

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114583030 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210201728.5 (22)申请日 2022.03.03 (71)申请人 华南师范大学 地址 510631

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