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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开一种氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器，该方法包括：对FTO玻璃基底的导电面进行清洗和干燥处理，在干燥后的FTO玻璃基底的导电面贴上绝缘胶带，以绝缘胶带覆盖区域作为电极；对FTO玻璃基底进行臭氧清洗；将臭氧清洗后的FTO玻璃基底置于含有镓离子的水热反应溶液中进行水热反应，以在FTO玻璃基底的导电面生长出氧化镓纳米阵列薄膜；对氧化镓纳米阵列薄膜进行退火处理，之后将掩膜版覆盖在所述氧化镓纳米阵列薄膜表面制备顶电极；然后去除绝缘胶带，露出底电极；从而获得附着有氧化镓纳米阵列薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114577863 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210206424.8 (51)Int.Cl.
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