1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.29万字
  • 约 12页
  • 2023-05-11 发布于四川
  • 举报

生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底.pdf

    本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582711 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210204788.2 (22)申请日 2022.03.02 (71)申请人 北京大学东莞光电研究院 地址 52

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >