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氮化物基半导体装置以及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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氮化物基半导体装置以及其制造方法.pdf

    氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。第一III‑V层中的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582957 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210205710.2 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日 2021.11

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