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一种GaN基HEMT器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种GaN基HEMT器件及其制作方法.pdf

    提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥离所述衬底，以获得所述GaN基HEMT器件。本发明通过直接在传统衬底上原位生长形成h‑BN薄膜/金刚石薄膜/GaN基HEMT外延结构的器件结构，然后再利用h‑BN薄膜的可剥离特性以剥离掉传统衬底，使器件能够直接利用热导率较高的金刚石薄膜作为热沉衬底进行散热，有效降低了器件温度，进

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582726 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210219287.1 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日 2022.03

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