晶体生长基础—晶体生长方法简介.pptVIP

* PVT生长方法 M-Lely法 多晶SiC升华 石墨坩埚2000～3000K 20hPa Ar Si SiC2 Si2C 冷却籽晶 * 化学气相沉积（CVD） 将金属的氢化物、卤化物或金属有机物蒸发成气相， 输送至使其凝聚的较低温度带内 通过化学反应，在一定的衬底上淀积，形成所需要的薄膜。 * CVD系统 * 优点: 可以较快速度获得大直径的单晶 可采用“回熔”和“缩颈”工艺 可观察到晶体生长情况，能有效控制晶体生长 缺点: 用坩埚作容器，导致不同程度的污染 * 液封提拉法 (LEC) 1962年梅茨等人首先发明 使用透明、惰性的液体层浮于熔体表面起到密封作用的一种拉晶技术。 1965年马林等人生长出GaAs、InAs等 1968年巴斯等人生长出InP、GaP等 成为制备含挥发性组元化合物半导体单晶主要技术 一般会和其它生长方法相结合 对于在高温下容易挥发的材料（InP、GaAs、GaSb） * LEC法生长GaAs单晶示意图 熔点低，在生长温度成液态 不与熔体和晶体反应 蒸汽压低，不易挥发 对熔体或晶体的溶解度低，不会通过密封液向环境传输 对坩锅无腐蚀作用 选择合适的密封液是关键 * 能生长高的蒸汽压的材料 B2O3 能阻止熔体和坩埚、保护气反应 优点: 缺点: B2O3被“沾污”、低于1000oC太粘稠 * 布里奇曼(Bridgman）法（下降法） 1925年由Bridgman首先提出 1936年Stockbarger提出相似的方法，又称为Bridgman-Stockbarger法 Percy Williams Bridgman (1882-1961) Donald C. Stockbarger (1895-1952) * 炉子采用管式结构，由加热区、梯度区、冷却区组成 装有原料的坩埚，在具有一定的温度梯度的结晶炉内缓慢下降。 熔体便会在坩埚内自下而上结晶为晶体。 温度梯度大，生长速率快（应力大） 垂直Bridgman法 * 基本过程 1. 原料和籽晶 置于坩埚中 3. 生长: 通过移动加热线圈或坩埚，从而使生长界面向前推进 2. 引晶: 部分籽晶熔融 * 基本要求 高温区温度尽可能高（高于熔点），但不能太高，防止熔体挥发 低温区温度尽可能低（低于熔点），但不能太低，避免晶体破裂 熔体结晶控制在温度梯度大的区域，在散热板附近 高温区和低温区温度梯度小，避免在熔体上部结晶和下部产生较大应力。 * 晶核几何淘汰规律 可以不需要籽晶，利用自发成核后的几何淘汰规律获得单晶体 晶体具有各向异性，假定三个晶核，只有B的方向是同坩锅平行 A和C核受到B的挤压而消失。 * 坩锅选择 材质的选择 较高的化学稳定性；足够高的纯度；具有较高的熔点；一定的导热能力：与晶体材料相匹配的膨胀系数 形状与结构设计 选晶法坩锅形状设计 籽晶法（a）放置籽晶（b）回熔（c）生长 * 坩锅下降法装置实物照片和内部结构示意图 * 水平Bridgman法 倾斜Bridgman法 重力场与温度梯度和成分梯度垂直，热对流更为剧烈 熔体的自由表面与梯度场垂直，熔体表面存在较大的温度梯度和浓度梯度 晶体的传热、传质和对流条件是非轴对称的。因此，晶体生长界面也是非轴对称的，不易保证晶体性能的一致性 * 多坩埚晶体生长方法 4in Li2B4O7 批量生产 无接触Bridgman法 导热好碳管作为隔离 制备CdZnTe * 优点: 操作简单，晶体的形状由容器的形状决定。 原料密封在坩埚中，减少了挥发造成的影响 ，能较好地控制晶体的成分。 可同时放入若干个坩埚进行生长，提高效率 缺点: 晶体与坩埚接触，易引入较大内应力和较多杂质 不适宜生长在冷却时体积增大的晶体（具有负膨胀系数的材料） 很难观察到晶体生长过程 * 应用: 熔体中含挥发性成分的物质: III-V 化合物(GaAs, lnP, GaSb) 和 II-VI 化合物 (CdTe). 三元化合物 (GaxIn1-xAs , GaxIn1-xSb等) * 区熔（zone melting，ZM）法 原料棒局域熔化 材料预制成型，感应线圈加热，熔区自下而上移动，或晶体向下移动，逐渐完成整个结晶过程 也常用于材料提纯 坩锅移动 加热器移动 * 浮区法（float zone, FZ） 晶体和多晶原料棒之间的熔区靠熔体的表面张力维持 无坩锅的生长技术 熔点高、表面张力大、蒸汽压小 * F1 + F2 = F3 + F4 F1：熔区重力；F2：转动离心力 F3：表面张力；F4：高频感应形成的磁托力 r熔体表面张力；g重力加速度 熔区稳定条件 表面张力越大，熔区越长，离心力（转速）越小，越容易建立稳定熔区 方法：选择密度小，表面张力大的材料，降低转