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半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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半导体器件.pdf

    本公开涉及功耗降低的半导体器件。该器件包括：n型阱区域，位于半导体主体的主面之上；元件隔离区域，位于主表面之上；第一和第二有源区域，位于n型阱区域中并且被元件隔离区域环绕；绝缘膜，位于第一有源区域中的主表面之上；半导体层，位于绝缘膜之上；栅电极层，通过栅极绝缘膜位于半导体层之上；p型源极和漏极区域，在栅电极层的两个端部处形成在半导体层中；伪栅电极层，通过栅极绝缘膜位于半导体层之上；n型半导体区域，位于第二有源区域中的n型阱区域表面之上；以及电源布线，与n型半导体区域耦合。伪栅电极层电浮置。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582875 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210195379.0 (22)申请日 2016.10.26 (30)优先权数据

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