原创力文档- 1
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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及制作方法。该结构在LDMOS器件的折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极。应力介质层通过从三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；此外，器件在关断状态时，应力介质层结合延伸栅电极从三个面两个维度辅助耗尽漂移区，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，延伸栅电极、应力介质层与半导体衬底组成的MIS结构在漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582977 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210199708.9
(22)申请日 2022.03.02
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 71007
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