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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、一阻障层、及一导电层。该半导体基材具有多个凸台。该介电层设于该半导体基材上且具有多个分别设于所述凸台上的区域。该阻障层形成于该凸台的一第一侧面、该区域的一第二侧面、该半导体基材的邻近该第一侧面的一上表面、及该介电层的一邻近于该第二侧面的正面之上。该导电层具有一基底及多个突出部，该多个突出部从该基底伸出，该多个突出部接触设于该上表面、该第一侧面、该第二侧面之上的该阻障层，且该基底与所述突出部的晶粒尺寸一致。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110943084 A
(43)申请公布日
2020.03.31
(21)申请号 20191
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