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微光学元器件;Focus;Light propagation through a GRIN rod;0.25P lens:on axis;0.25P lens：off axis;0.23P lens：angle compress;0.29P lens：facula compress;Type Diameter Pitch l AR SLW 1.0 0.11 630 A2 SLH 1.8 0.18 830 C1 SLS 2.0 0.23 1060 NC 3.0 0.25 1300 4.0 0.29 1560 ;自聚焦透镜的基本特征;GRIN透镜的应用：光源耦合;GRIN透镜的成像（I）;GRIN透镜的成像（II）;GRIN透镜的成像（III）;GRIN透镜的成像（III）;GRIN透镜的成像（IV）;GRIN透镜的成像（V）;GRIN透镜的应用：准直-聚焦;近轴光线传输矩阵;近轴光线传输矩阵;近轴光线传输矩阵;近轴光线传输矩阵;高斯光束的传输;高斯光束的传输;高斯光束的传输;高斯光束的能量耦合;高斯光束的能量耦合;光纤头的8度减反射角; Pigtail Assembly;Cut off point;1.800 +0/-.02;1.80 +0/-.02;UV Adhesive;Align faces;0 -10 -20 -30 -40 -50 -60;Collimator Assembly;Collimator;Collimator Assembly;9 um;单光纤准直器;单光纤准直器;单光纤准直器;单光纤准直器;单光纤准直器;Collimated beam;q;Polarizer;Cylindrical Magnet;Analyzer;Polarizer 1;Collimator;Core;1 mm;法拉第旋转器（Farady Rotator,garnet） 法拉第磁致旋光效应：在外加磁场B作用下，某些原本各向同性的介质变成旋光性物质，偏振光通过该物质时其偏振面发生旋转。 (1) 对于给定的磁光材料，光振动面旋转的角度?与光在该物质中通过的距离L和磁感应强度成正比， ?＝VLB V是材料的特性常数，称韦尔代常数，单位是：分/特斯拉·米。 (2) 磁致旋光不可逆性。当光传播方向平行于磁场时，若法拉第效应表现为左旋，则当光线逆反时，法拉第效应表现为右旋。;1. crystal growing technique 2. Large rotation angle (45 °@ 1550 nm) 3. Low insertion loss (0.1 dB @ 1550 nm) 4. High extinction ratio: 40 ~ 45 dB) 5. Thickness (0.4 mm, low PDL) 6. Smaller saturation magnetization (200 ~ 1100 Gauss);Bi-refringent Material;E-beam;生长方法简介 1 多晶原料合成 配料：按分子式NdxY1-xVO4由Nd2O3、Y2O3、V2O5配料合成 x为Nd3+掺杂的浓度，一般0≤x≤0.06 原料提纯与合成工艺过程（固??合成）;设备：中频感应加热异型大口径(φ80mm级)铱坩埚（如图） 方法：丘克拉斯基法生长晶体 生长气氛：为含有适量氧的高纯氮气 拉速：0-2mm/h，晶转在30～10r/min变速 时间：生长周期2～3天。 晶体尺寸：φ30～35×50mm，c轴YVO4单晶，晶体质量～200g左右 ;籽晶夹持器;晶体对称性： 锆石四角形 空间群 D4h 晶胞： a=b=7.12 c=6.29;物理学性质： 颜色：黄色，浅棕色，浅黄棕 密度：4.21 莫氏硬度：5 ，接近玻璃 易吸湿性：不吸湿 热彭胀系数：aa = 4.43 x 10-6/K; ac = 11.37 x 10-6/K 热传导系数：|| C: 5.23 W/m/K; ⊥ C: 5.10 W/m/K ;光学性质： 晶体类别：正的单轴晶