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集成电路器件的电阻器结构及其形成方法.pdfVIP

集成电路器件的电阻器结构及其形成方法.pdf

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    提供了集成电路器件的电阻器结构及其形成方法。电阻器结构可以包括：基板；上半导体层，可在垂直方向上与基板间隔开；下半导体层，可在基板和上半导体层之间；以及第一电阻器接触和第二电阻器接触，可在水平方向上彼此间隔开。上半导体层、下半导体层和基板的一部分中的至少一个可以接触第一电阻器接触和第二电阻器接触。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093081 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202211324392.8 (22)申请日 2022.10.27 (30)优先权数据

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