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10.3.10 雷射除銹和去氧化皮 雷射除銹和去氧化皮的機制與脫漆基本相同,是由於銹和氧化皮對工作雷射的吸收率很大,由於能量絕大部份被吸收,而使銹和氧化皮汽化脫落,但基材表面(如鍍Zn鋼板)對工作雷射的吸收率很小,有較高的反射率,因此雷射掃描不會對基體材料留下任何損傷。 10.3.11 雷射去油脫脂 用未經聚焦的CO2或Nd:YAG雷射器,可清洗金屬零件上乾的或濕的油脂,如礦物油、潤滑油、桐油、防護脂等。 10.4 雷射劃片 雷射劃片是把高峰值功率的雷射聚焦在矽片表面,使矽材料表面產生高溫汽化,而打出連續的盲孔,形成溝槽狀如圖10.11。調節脈衝重疊量可精確控制刻槽深度,再施加外力可很容易使矽片等材料沿溝槽整齊斷開,達到分割易碎材料的目的。 也可用於刻劃陶瓷基片(厚膜電路的陶瓷基片)、金剛石薄膜、太陽能電池等。 雷射劃片的優點如下: (1)非接觸切斷,矽片不會受機械力而產生裂紋,故成功率高。 (2)無切削粉末和冷卻液污染,適合於大規模積體晶片的單晶矽襯底的分割。 (3)切口光滑,無裂紋,切割品質好。 (4)精度高,劃縫窄,有利於提高矽片的利用率。 對於積體電路的矽片,基體比較薄,一般不劃透(稱為Silicon Wafer Marking),主要選用準連續基模聲光調Q雷射器,波長1064nm,平均功率10W左右,調制頻率10~30kHz。劃線寬度為15~25?m,槽深為5~200?m,加工速度快可達200mm/s,成功率可達99.5%以上。 圖10.11 雷射劃片加工示意圖 圖10.12 雷射劃片樣品 10.5 雷射引致分離 10.5.1 傳統的玻璃和玻璃製品的切割方法 在機械切割中,用砂輪或機械輪在玻璃上進行刻劃,產生沿著切割方向的切向張力,而使玻璃沿著劃痕裂開。這種方法所切割的邊緣不平滑、有微小裂痕,材料上殘存不對稱邊緣應力及殘留碎屑等。 另外,機械輪加工中還需要輔助劑輔助切割,輔助劑也有可能黏在成品邊緣,需要過水清洗或超音波清洗等後續處理。後續處理程序以及低成功率(發生不確定的裂痕)等都將增加成品玻璃製品的成本。 10.5.2 玻璃和玻璃製品的雷射熔化切割方法 玻璃的傳統雷射切割方法是使用高功率CO2雷射,玻璃材料吸收雷射而被熱能熔化完成切割。伴隨玻璃材料的下沉和熔化,或由切割部份周圍產生的熱能造成的局部影響,所以該CO2雷射切割技術難以保證整齊、平滑的切割邊緣,在許多應用場合中,仍然需要打磨切割邊緣。 10.5.3 玻璃的第二代雷射切割法 應用較低功率的雷射器使玻璃分離,同時不對玻璃造成熔化等熱影響的玻璃切割方法。其基本原理是利用雷射引致的應力使玻璃“分離”,可以稱其為第二代雷射切割法。例如,使用平均輸出功率為150W的CO2雷射器(Coherent公司的K-150型),通過聚焦光路在玻璃表面形成橢圓形的聚焦點,保證了雷射能量在切割線兩側均勻和最優化的分佈。玻璃強烈地吸收10640nm的雷射,所以幾乎所有的雷射能量都被玻璃表面15?m吸收層所吸收,相對玻璃表面移動雷射光點形成所需的切割線。 1.第二代雷射切割法的特點 (1)沒有機械切割方法中產生的玻璃碎屑問題。 (2)無需邊緣磨削的加工過程,邊緣品質在尺寸上非常精確而且完全釋放應力。 (3)不會產生像接觸型切割法所形成的垂直於切割面的直裂紋。 (4)雷射切割的邊緣強度非常高,這是由於加熱、淬火過程中的自然回火效應引起的邊緣強化。 第 10 章最新雷射加工技術 10.1 雷射修補 10.2 雷射光刻 10.3 雷射清洗 10.4 雷射劃片 10.5 雷射引致分離 10.6 雷射加工高密度撓性電路板 10.7 脈衝雷射濺射沉積薄膜技術 10.8 雷射輔助化學氣相沉積 10.9 雷射強化電鍍 10.10 雷射退火非晶矽 10.1 雷射修補 10.1.1 雷射微調[1] 雷射微調包括薄膜電阻(0.01~0.6?m厚)的微調、厚膜電阻(20~50?m厚)的微調、電容的微調和混合積體電路阻抗值的微調。 調阻時將雷射聚焦在電阻薄膜上,在計算機精確控制下,將物質汽化。首先對電阻進行監測,把監測數據傳送給計算機,計算機根據預先設定的程序,控制雷射依一定路徑切割電阻薄膜,並在線監測直至阻值達到設定值,完成一個調阻過程。 圖10.1 L型切割方式及調阻曲線 圖10.2 雷射調阻的部份切割線型 目前,雷射微調設備主要採用連續氪燈激發的Nd:YAG聲光調Q雷射器,平均功率幾瓦至二十幾瓦,調制頻率10~30kHz。 圖10.3 1.3?m波長Nd:YAG的雷射厚膜電阻微調機 10.1.2 儲存器雷射冗餘修正[1,2] 製造儲存器雷射冗餘修正系統的關鍵技術是合適的雷射波長、微小的光斑、高定位精度掃描和高速控制軟體。用波長為1.3?m的雷射進行修正,切
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