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本发明公开了一种全GaN集成芯片结构及其制备方法，该芯片结构包括：半绝缘SiC衬底；导电键合层；全GaN电路结构层：自下而上依次包括缓冲层、沟道层和势垒层，还包括第一深槽、第二深槽和钝化层，第一深槽的槽底与导电键合层相接，槽壁穿透至势垒层，内壁生长有连接源极和导电键合层的金属；第二深槽的槽底与半绝缘SiC衬底相接，槽壁穿透至势垒层，内壁沉积有绝缘介质。本发明实现了全GaN集成芯片中高低侧电位的单片隔离，降低了寄生电感和芯片面积；解决了传统SOI基GaN集成芯片架构导热性差、工艺难度高的问题；其制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116053322 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202310085988.5 H01L 21/335 (2006.01)
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