一种基于CMOS的无电感低噪声放大器及其调节方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种基于CMOS的无电感低噪声放大器及其调节方法.pdf

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本发明提供一种基于CMOS的无电感低噪声放大器及其调节方法，包括电压源VS、构成共栅共源电路的MOS管M1、M2、负反馈电阻RB和负载电阻R1、R2，本发明采用共源极的MOS管，输入信号可以被反相施加到共栅端口，以实现共栅的跨导，从而利用简单的拓扑结构，使得所设计的无电感低噪声放大器能够在更短的时间内完成采用复杂结构设计电路的功能，结构越简单、新颖，让电路性能更可靠和易于实现，而且采用电阻负反馈结构，更容易通过控制低噪放大器中的主要变量，从而达到更精确、更优化的结果，只要适当调整负载电阻的大小，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114598270 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202210310890.0 G06F 30/373 (2020.01) (22)申请日 2022