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- 2023-05-13 发布于四川
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本发明涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。所述三维存储器包括:器件结构,包括堆叠层,所述堆叠层中具有多个沟道孔,每一所述沟道孔包括具有第一预设相对偏移量的第一沟道孔和第二沟道孔;量测结构,位于所述器件结构外部,所述量测结构包括多个量测子阵列,相邻所述量测子阵列之间具有一间距,每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔,所述量测孔包括具有第二预设相对偏移量第一量测孔和第二量测孔,所述第一预设偏移量和所述第二预设偏移量之间具有一预设差值。本发明提高了所述沟道孔内套准量测结果的可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649304 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210262937.0 G01B 11/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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