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本发明实施例公开了一种尺寸测试结构及方法，其中，所述尺寸测试结构用于测试第一类浅沟槽隔离(STI)结构的尺寸，所述尺寸测试结构包括：位于衬底中的晶体管的源极和漏极；位于所述晶体管的源极及漏极之间的所述第一类STI结构；所述第一类STI结构包括氧化物层，所述氧化物层的顶面高于所述衬底的表面；位于所述氧化物层顶面上的栅极结构；以及位于所述源极与所述漏极之间的沟道区域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649303 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210133747.9
(22)申请日 2022.02.08
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
地址 4
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