药液耐性保护膜.pdfVIP

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提供在半导体基板加工时具有针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、低干蚀刻速度,进一步对高低差基板也被覆性和埋入性良好,埋入后的膜厚差小,能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含:(A)具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物:(在式(1‑1)中,Ar表示苯环、萘环或蒽环,R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116057103 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202180061886.9 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所

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