1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

三维存储器件及其制造方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.75万字
  • 约 22页
  • 2023-05-13 发布于四川
  • 举报

三维存储器件及其制造方法.pdf

    本发明提供一种三维存储器件及其制造方法，该方法包括：提供衬底，衬底上形成有堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的多晶硅层和绝缘层；沿衬底的厚度方向形成贯穿堆叠结构的沟道孔，沟道孔的内壁包括第一交界面和第二交界面；利用多晶硅层形成位于沟道孔的径向两侧的金属硅化物；去除金属硅化物以形成凹槽，并在凹槽的表面以及第一交界面上形成阻挡层；在阻挡层上沉积电荷捕获层以填充凹槽，且电荷捕获层的表面上形成有与凹槽对应的开口；在开口中形成掩膜体，以通过掩膜体为掩膜去除多余电荷捕获层，并形成沿厚度方向相互隔开的单元电荷捕获

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649347 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210276832.0 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 4

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >