一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法,本发明涉及碳包覆纳米材料合成技术领域,具体涉及一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法。本发明要解决现有制备SiO2@C纳米复合粉体时制备工艺复杂、成本高、污染环境、产物分散性差、碳壳层厚度难以调控的问题。制备步骤:一、配制反应溶液;二、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体;三、制备SiO2@C纳米复合粉体。本发明具有制备工艺简单、成本低、绿色环保、产物分散性好等优点,并且纳米复合粉体表面碳壳层的厚度可以根据使用需求进行调控。本发明可用于大规模生产SiO2@C

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114644341 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210276433.4 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 哈尔滨工业大学

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