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一种半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种半导体器件.pdf

    本发明公开了一种半导体器件，包括阵列器件和将源极层引出的沿第一方向排列的多行源极引出触点。该阵列器件包括多个沟道结构和沿第一方向延伸的多行栅线缝隙，相邻两行栅线缝隙具有第一间距，相邻两行源极引出触点具有第二间距。其中，第二间距等于第一间距，使每个源极引出触点在指存储块中的位置固定，因此每个源极引出触点周围的沟道结构到该源极引出触点的距离固定，从而可以避免沟道结构和源极引出触点间的压降浮动太大，可以使压降控制在较小范围内，以提高器件性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649345 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210276504.0 H01L 27/1157 (2017.01) (22)申请日 2021.0

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