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STM32片内FLASH模拟EEPROM的优化方法.docx

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    STM32片内FLASH模拟EEPROM的优化方法 FLASH_Sector_0~FLASH_Sector_11，分别对应不同的扇区。而VoltageRange参数则是供电电压范围的选择，在STM32F407中可选参数为FLASH_VOLTAGE_RANGE_3，即3.3V左右的电压范围。在使用擦除函数时，必须先判断所需擦除的扇区是否已经被擦除，如果没有则进行擦除操作。擦除操作需要一定的时间，因此在实际应用中，需要根据具体情况来决定擦除操作的时机和方式。 为了优化STM32F407的FLASH模拟EEPROM的使用效率，我们可以采用以下几种方法： 1.合理分配FLASH空间：由于不同扇区的大小

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