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一种低损耗YIG材料及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种低损耗YIG材料及其制备方法.pdf

    本发明提供一种低损耗的YIG材料及制备方法，材料结构式为Y2.7Ca0.3Fe(4.7‑x)Sn0.3O12，其中，0≤x≤0.325。制备方法包括以下步骤：(1)预烧料的制备：(2)二次球磨；(3)成型，烧结：1.本发明采用Sn4+离子取代八面体位的Fe3+以降低各向异性常数和铁磁共振线宽。同时，对于缺铁量设置梯度，以降低八面体(a位)和四面体(d位)间的铁离子之间的电子转移，从而降低材料的介电损耗。最终得到了低成本样品且其铁磁共振线宽为127Oe，介电常数为15.6，介电损耗正切为4×10‑

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114644516 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210284071.3 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 电子科技大学 地址 61

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