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2023-05-14 发布于北京
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本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于6.0eV。本申请提供的光电器件，ZnS外壳材料的价带能级更深，要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于6.0eV。此时，ΔEEML‑HTL≥0.5eV，构建了空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695718 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011636866.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司地址