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- 2023-05-15 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；多个凸起部，凸出于衬底；隔离层，位于凸起部上，沿凸起部的延伸方向，隔离层包括第一区域以及位于第一区域两侧的第二区域；填充层，位于隔离层的第一区域上；沟道结构层，位于填充层的上方且与填充层间隔悬空设置，沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层，沟道层沿垂直于衬底表面的方向堆叠；绝缘层，位于衬底上且围绕凸起部、隔离层和填充层，绝缘层覆盖隔离层和填充层的侧壁且露出沟道结构层；栅极结构，位于绝缘层上且横跨沟道结构层且包围沟道层，栅极结构还位于填
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031280 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202111254216.7 H01L 29/78 (2006.01)
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