原创力文档- 7
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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明提出一种位线接触结构的形成方法，包含以下步骤：在形成有字线和保护层的衬底的表面依次设置第一、第二掩膜层及光刻胶，图案化光刻胶；利用图案化后的光刻胶依次刻蚀第二、第一掩膜层，形成贯穿第一、第二掩膜层的第一开口；在第二掩膜层表面设置牺牲层，牺牲层覆盖第一开口的侧壁和底壁，形成开口宽度小于第一开口的第二开口；利用第二开口在保护层表面刻蚀形成相对应的第三开口，并同时去除剩余的牺牲层，以暴露出第一开口；利用第一开口和第三开口刻蚀贯穿保护层并在衬底表面形成位线接触孔，位线接触孔包含第一孔部和第二孔部，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725103 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110005940.X
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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