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一种高频硅基GaN单片集成PWM电路.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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一种高频硅基GaN单片集成PWM电路.pdf

    本发明公开了一种高频硅基GaN单片集成PWM电路，基于P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台下的E‑modeGaN晶体管、2DEG电阻和MIM电容进行三级比较器等结构设计，并以此为基础实现迟滞比较器、锯齿波电路和整体PWM电路的设计。本发明基于增强型GaN晶体管进行三级比较器电路拓扑设计优化反馈回路，从而实现高鲁棒性锯齿波电路设计；PWM单片集成电路同时集成反馈电阻以及GaNMIM电容，极大减小电路设计中的寄生效应，可更容易满足PWM模块方案的高频需求。该电路方案不仅更易实现GaN功率芯片单片

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114374376 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202210033085.8 (22)申请日 2022.01.12 (71)申请人 电子科技大学 地址

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