原创力文档- 42
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- 2023-05-16 发布于四川
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本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备，在测量过程中，先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构顶表面的方向，朝待测半导体结构顶表面移动第一距离，然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表面的方向保持上述第一距离对待测半导体结构表面进行扫描，并检测探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅；根据探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅，确定待测半导体结构的关键尺寸。本申请在待测半导体结构的表面存在高深宽比的沟槽时，能够避免对待测半导体结构造成破坏，测量方式简单，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114765113 A
(43)申请公布日 2022.07.19
(21)申请号 202110053191.8
(22)申请日 2021.01.15
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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