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- 2023-05-16 发布于四川
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本发明涉及一种传感器及其制备方法,可应用于穿戴设备。该传感器包括基底和形成在所述基底上的传感层,所述基底具有形成微纳图案的微沟槽,所述传感层形成在所述微沟槽内,所述传感层包括呈三明治结构的MXene层、CNT层及MXene层。该传感器的制备方法,包括:S1、提供基底,所述基底具有形成微纳图案的微沟槽;S2、制备传感层,在所述微沟槽内依次形成MXene层、CNT层及MXene层。通过在基底的微沟槽内形成MXenes‑CNT‑MXenes三明治结构的传感层,解决由于沟槽槽深较浅,Mxene溶液刮涂困
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113138039 A
(43)申请公布日
2021.07.20
(21)申请号 20201
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